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NDS9407_G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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NDS9407_G

INTEGRATED CIRCUIT


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: NDS9407_G

prix:

USD $0.02

Stock: 98 pcs

Paramètre produit

série
PowerTrench®
Type FET
P-Channel
emballage
Bulk
Vgs (Max)
±20V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
2.5W (Ta)
Boîtier du fournisseur
8-SOIC
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
732pF @ 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

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