NCP5111DR2G

Paramètre produit

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série

-

Type de porte

IGBT, N-Channel MOSFET

emballage

Tape & Reel (TR)

entrée

Non-Inverting

Statut partiel

Active

Type de canal

Synchronous

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numéro de Base

NCP5111

Tension d’alimentation

10V ~ 20V

Nombre de conducteurs

2

Configuration poussée

Half-Bridge

Température de fonctionnement

-40°C ~ 125°C (TJ)

Temps de montée/chute (Typ)

85ns, 35ns

Boîtier du fournisseur

8-SOIC

La tension logique — VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Haute tension latérale - Max (Bootstrap)

600V

Production de pointe (Source, puits)

250mA, 500mA