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HGTD3N60C3S9A
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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HGTD3N60C3S9A

IGBT 600V 6A 33W TO252AA


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: HGTD3N60C3S9A

prix:

USD $0.17

Stock: 62 pcs

Paramètre produit

série
-
Type IGBT
-
emballage
Tape & Reel (TR)
entrée
Standard
Taxe d’entrée
10.8nC
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
33W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Conditions d’essai
480V, 3A, 82Ohm, 15V
Transfert d’énergie
85µJ (on), 245µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier du fournisseur
TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Courant collecteur (Ic) (Max)
6A
Courant pulsé par le collecteur (Icm)
24A
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
600V

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