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FGY60T120SQDN
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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FGY60T120SQDN

IGBT 1200V 60A UFS


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: FGY60T120SQDN

prix:

USD $8.47

Stock: 450 pcs

Paramètre produit

série
-
Type IGBT
-
emballage
Tube
entrée
Standard
Taxe d’entrée
311nC
Statut partiel
Active
Puissance - Max
517W
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
TO-247-3
Conditions d’essai
600V, 60A, 10Ohm, 15V
Transfert d’énergie
-
Td (on/off) @ 25°C
52ns/296ns
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier du fournisseur
TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 60A
Courant collecteur (Ic) (Max)
120A
Courant pulsé par le collecteur (Icm)
240A
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
1200V

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