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FGD3N60UNDF
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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FGD3N60UNDF

IGBT 600V 6A 60W DPAK


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: FGD3N60UNDF

prix:

USD $0.56

Stock: 1900 pcs

Paramètre produit

série
-
Type IGBT
NPT
emballage
Digi-Reel®
entrée
Standard
Taxe d’entrée
1.6nC
Statut partiel
Active
Puissance - Max
60W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Conditions d’essai
400V, 3A, 10Ohm, 15V
Numéro de Base
FGD3N60
Transfert d’énergie
52µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
5.5ns/22ns
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.52V @ 15V, 3A
Temps de récupération inverse (TRR)
21ns
Courant collecteur (Ic) (Max)
6A
Courant pulsé par le collecteur (Icm)
9A
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
600V

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