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FGD3N60LSDTM-T
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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FGD3N60LSDTM-T

INTEGRATED CIRCUIT


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: FGD3N60LSDTM-T

prix:

USD $0.16

Stock: 8 pcs

Paramètre produit

série
-
Type IGBT
-
entrée
Standard
Taxe d’entrée
12.5nC
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
40W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Conditions d’essai
480V, 3A, 470Ohm, 10V
Transfert d’énergie
250µJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/600ns
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 10V, 3A
Temps de récupération inverse (TRR)
234ns
Courant collecteur (Ic) (Max)
6A
Courant pulsé par le collecteur (Icm)
25A
Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)
600V

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