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FDN336P
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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FDN336P

MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: FDN336P

prix:

USD $0.57

Stock: 49372 pcs

Paramètre produit

série
PowerTrench®
Type FET
P-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±8V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max)
500mW (Ta)
Boîtier du fournisseur
SuperSOT-3
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
330pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V

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