BS170

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: BS170

prix:

USD $0.47

Stock: 13805 pcs

Paramètre produit

série

Type FET

N-Channel

emballage

Bulk

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Numéro de Base

BS170

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

830mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

TO-92-3

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

40pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

500mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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BS170

Paramètre produit

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