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2SK536-TB-E
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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2SK536-TB-E

MOSFET N-CH 50V 0.1A


fabricant: ON Semiconductor

Fiche technique: 2SK536-TB-E

prix:

USD $0.9

Stock: 2739 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±12V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Dissipation de puissance (Max)
200mW (Ta)
Boîtier du fournisseur
SC-59
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
50V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
15pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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