PH3120L,115

Paramètre produit

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série

TrenchMOS™

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 25A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

62.5W (Tc)

Boîtier du fournisseur

LFPAK56, Power-SO8

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

4457pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

100A (Tc)