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APTM100A12STG

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W


fabricant: Microsemi Corporation

Fiche technique: APTM100A12STG

prix:

USD $0.34

Stock: 59 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
emballage
Bulk
Domaine d’action prioritaire
Standard
Statut partiel
Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max
1250W
Type de montage
Chassis Mount
Paquet/dossier
SP3
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 34A, 10V
Boîtier du fournisseur
SP3
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
616nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
1000V (1kV)
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
17400pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
68A

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