APT10021JLL

Paramètre produit

---

série

POWER MOS 7®

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Chassis Mount

Paquet/dossier

SOT-227-4, miniBLOC

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 18.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

694W (Tc)

Boîtier du fournisseur

ISOTOP®

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

395nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

1000V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

9750pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

37A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V