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TN2510N8-G
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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TN2510N8-G

MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3


fabricant: Microchip Technology

Fiche technique: TN2510N8-G

prix:

USD $0.74

Stock: 2977 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 750mA, 10V
Dissipation de puissance (Max)
1.6W (Ta)
Boîtier du fournisseur
TO-243AA (SOT-89)
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
125pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
730mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V

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