IRF100B202

MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

fabricant: Infineon Technologies

Fiche technique: IRF100B202

prix:

USD $1.62

Stock: 2362 pcs

Paramètre produit

série

HEXFET®, StrongIRFET™

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

221W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-220AB

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

100V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

4476pF @ 50V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

97A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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IRF100B202

Paramètre produit

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