IPT111N20NFDATMA1

Paramètre produit

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série

OptiMOS™

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerSFN

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 267µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 96A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

375W (Tc)

Boîtier du fournisseur

PG-HSOF-8-1

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

200V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

7000pF @ 100V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

96A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V