FF23MR12W1M1B11BOMA1

Paramètre produit

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série

CoolSiC™+

Type FET

2 N-Channel (Dual)

emballage

Tray

Domaine d’action prioritaire

Silicon Carbide (SiC)

Statut partiel

Active

Puissance - Max

20mW

Type de montage

Chassis Mount

Paquet/dossier

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Boîtier du fournisseur

Module

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 15V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3950pF @ 800V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

50A