64-9146

Paramètre produit

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série

HEXFET®

Type FET

N-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±12V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

DirectFET™ Isometric MT

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Boîtier du fournisseur

DIRECTFET™ MT

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

6580pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

32A (Ta), 180A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V