IXFT120N15P

Paramètre produit

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série

PolarHT™ HiPerFET™

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

600W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-268

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

150V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

4900pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V