IXFK100N10

MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA

fabricant: IXYS

Fiche technique: IXFK100N10

prix:

USD $17.85

Stock: 100 pcs

Paramètre produit

série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-264-3, TO-264AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

500W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-264AA (IXFK)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

100V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

9000pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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IXFK100N10

Paramètre produit

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