IXFH100N30X3

Paramètre produit

---

série

HiPerFET™

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-247-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

480W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-247

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

300V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

7.66nF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V