IXBX75N170

Paramètre produit

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série

BIMOSFET™

Type IGBT

-

emballage

Tube

entrée

Standard

Taxe d’entrée

350nC

Statut partiel

Active

Puissance - Max

1040W

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-247-3

Conditions d’essai

-

Numéro de Base

IXB*75N170

Transfert d’énergie

-

Td (on/off) @ 25°C

-

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Boîtier du fournisseur

PLUS247™-3

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Temps de récupération inverse (TRR)

1.5µs

Courant collecteur (Ic) (Max)

200A

Courant pulsé par le collecteur (Icm)

580A

Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)

1700V