IXBK75N170A

Paramètre produit

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série

BIMOSFET™

Type IGBT

-

emballage

Tube

entrée

Standard

Taxe d’entrée

358nC

Statut partiel

Active

Puissance - Max

1040W

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-264-3, TO-264AA

Conditions d’essai

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Numéro de Base

IXB*75N170

Transfert d’énergie

3.8mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C

26ns/418ns

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Boîtier du fournisseur

TO-264

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Temps de récupération inverse (TRR)

360ns

Courant collecteur (Ic) (Max)

110A

Courant pulsé par le collecteur (Icm)

300A

Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)

1700V