IXFN55N50F

Paramètre produit

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série

HiPerRF™

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Chassis Mount

Paquet/dossier

SOT-227-4, miniBLOC

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 27.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

600W (Tc)

Boîtier du fournisseur

SOT-227B

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

500V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

6700pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

55A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V