IXDN602SI

Paramètre produit

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série

-

Type de porte

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

emballage

Tube

entrée

Non-Inverting

Statut partiel

Active

Type de canal

Independent

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Tension d’alimentation

4.5V ~ 35V

Nombre de conducteurs

2

Configuration poussée

Low-Side

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Temps de montée/chute (Typ)

7.5ns, 6.5ns

Boîtier du fournisseur

8-SOIC-EP

La tension logique — VIL, VIH

0.8V, 3V

Production de pointe (Source, puits)

2A, 2A