IXDI602SIA

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Fiche technique: IXDI602SIA

prix:

USD $1.32

Stock: 750 pcs

série

Type de porte

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

emballage

Tube

entrée

Inverting

Statut partiel

Active

Type de canal

Independent

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tension d’alimentation

4.5V ~ 35V

Nombre de conducteurs

Configuration poussée

Low-Side

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Temps de montée/chute (Typ)

7.5ns, 6.5ns

Boîtier du fournisseur

8-SOIC

La tension logique — VIL, VIH

0.8V, 3V

Production de pointe (Source, puits)

2A, 2A

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