GP1M010A080N

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

312W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-3PN

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

900V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

2336pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V