GP1M005A050FSH

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.85Ohm @ 2A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

32W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-220F

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

500V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

602pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V