GP1M005A050CH

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.65Ohm @ 2.25A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

92.5W (Tc)

Boîtier du fournisseur

D-Pak

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

500V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

627pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V