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GP1M003A080CH
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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GP1M003A080CH

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK


fabricant: Global Power Technologies Group

Fiche technique: GP1M003A080CH

prix:

USD $0.91

Stock: 49 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±30V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
94W (Tc)
Boîtier du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
800V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
696pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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