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MBR600150CT
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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MBR600150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER


fabricant: GeneSiC Semiconductor

Fiche technique: MBR600150CT

prix:

USD $127.94

Stock: 32 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Bulk
Type de diodes
Schottky
Statut partiel
Active
Type de montage
Chassis Mount
Paquet/dossier
Twin Tower
Configuration des diodes
1 Pair Common Cathode
Boîtier du fournisseur
Twin Tower
Courant - fuite inverse à Vr
3mA @ 150V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
150V
Température de fonctionnement - jonction
-55°C ~ 150°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
880mV @ 300A
Courant - moyenne rectifiée (10) (par Diode)
300A

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