EPC2031

Paramètre produit

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série

eGaN®

Type FET

N-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

Die

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 15mA

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 30A, 5V

Boîtier du fournisseur

Die

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1800pF @ 300V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

31A (Ta)