EPC2021

Paramètre produit

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série

eGaN®

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

+6V, -4V

technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

Die

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 14mA

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 29A, 5V

Dissipation de puissance (Max)

-

Boîtier du fournisseur

Die

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

80V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1650pF @ 40V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

90A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V