CZDM1003N BK

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

Vgs (Max)

20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2W (Ta)

Boîtier du fournisseur

SOT-223

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

100V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

975pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V