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CXDM1002N TR
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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CXDM1002N TR

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89


fabricant: Central Semiconductor Corp

Fiche technique: CXDM1002N TR

prix:

USD $0.49

Stock: 2295 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
20V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
1.2W (Ta)
Boîtier du fournisseur
SOT-89
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
550pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

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