CWDM3011P TR13

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2.5W (Ta)

Boîtier du fournisseur

8-SOIC

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3100pF @ 8V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

11A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V