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CDM22012-800LRFP SL
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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CDM22012-800LRFP SL

MOSFET N-CH 800V 12A


fabricant: Central Semiconductor Corp

Fiche technique: CDM22012-800LRFP SL

prix:

USD $3.6

Stock: 370 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Tube
Vgs (Max)
30V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
40W (Tc)
Boîtier du fournisseur
TO-220FP
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
52.4nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
800V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
1090pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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