AOT412

Paramètre produit

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série

SDMOS™

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±25V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 20A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2.6W (Ta), 150W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-220

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

100V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3220pF @ 50V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

8.2A (Ta), 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V