AONR21357

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±25V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerVDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

5W (Ta), 30W (Tc)

Boîtier du fournisseur

8-DFN-EP (3x3)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

2830pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

21A (Ta), 34A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V