AON6405

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerSMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 20A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

Boîtier du fournisseur

8-DFN (5x6)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

5500pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

15A (Ta), 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V