AON6280

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerSMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

7.3W (Ta), 83W (Tc)

Boîtier du fournisseur

8-DFN (5x6)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

80V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3930pF @ 40V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

17A (Ta), 85A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V