AON2812

Paramètre produit

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série

AlphaMOS

Type FET

2 N-Channel (Dual)

emballage

Tape & Reel (TR)

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Active

Puissance - Max

2.5W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

6-UDFN Exposed Pad

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2A, 10V

Boîtier du fournisseur

6-DFN-EP (2x2)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

235pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4.5A