AON1605_001

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Bulk

Vgs (Max)

±8V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

3-UFDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

710mOhm @ 400mA, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

900mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

3-DFN (1.0 x 0.60)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

750nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

50pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

700mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V