AOH3110

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

2.9V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 900mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

3.1W (Ta)

Boîtier du fournisseur

SOT-223

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

100V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

100pF @ 50V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V