AOB411L_001

Paramètre produit

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série

-

Type FET

P-Channel

emballage

Bulk

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 20A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

187W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-263 (D²Pak)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

6400pF @ 30V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

8A (Ta), 78A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V