AOB11N60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fiche technique: AOB11N60L

prix:

USD $0.25

Stock: 82 pcs

Paramètre produit

série

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 5.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

272W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-263 (D²Pak)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

600V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1990pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

11A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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AOB11N60L

Paramètre produit

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